Halbleiterspeicherelement, Verfahren zur Herstellung und Verfahren zum Betrieb

EP1423880 Art A1 2. Juni 2004

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1423880
Aktenzeichen
EP02760145
Anmeldetag
2. September 2002
Veröffentlichung
2. Juni 2004
Rechtsraum
EP
IPC
H01L27/115H01L29/788H01L29/51H01L21/8247G11C16/04
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Infineon Technologies AG
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.872 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen