Halbleiterstruktur für Infrarotbereich und Herstellungsverfahren
EP1424736
Art B1
20. Juni 2007
Anmelder: Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V., Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Berlin 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1424736
- Aktenzeichen
- EP02026698
- Anmeldetag
- 29. November 2002
- Veröffentlichung
- 20. Juni 2007
- Erteilung
- 20. Juni 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L33/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V.
Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Berlin - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
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Deutsche gemeinnützige Forschungsorganisation mit Sitz in München. Die Max-Planck-Gesellschaft betreibt zahlreiche Institute für Grundlagenforschung in Natur-, Geistes- und Sozialwissenschaften.
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