Verfahren zur Herstellung von Halbleiterschichten auf Iii-V-Nitridhalbleiter-Basis

EP1425784 Art A1 9. Juni 2004

Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Osram Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1425784
Aktenzeichen: EP02760146
Anmeldetag: 2. September 2002
Veröffentlichung: 9. Juni 2004
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/20H01L33/00H01L21/033C23C16/04C23C16/30C30B29/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Osram Opto Semiconductors GmbH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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