Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements auf der Basis eines Nitrid-Verbindungshalbleiters
EP1430519
Art A2
23. Juni 2004
Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Osram Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1430519
- Aktenzeichen
- EP02781114
- Anmeldetag
- 27. September 2002
- Veröffentlichung
- 23. Juni 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/285
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Osram Opto Semiconductors GmbH - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
OSRAM Opto Semiconductors
Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.
2.304 Patente in unserer Datenbank