Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, hergestellt auf einer Oberfläche aus Silizium mit 110-Kristallebenenrichtung
EP1434253
Art B1
11. Mai 2011
Anmelder: Ohmi, Tadahiro, OHMI, Tadahiro, TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1434253
- Aktenzeichen
- EP02800747
- Anmeldetag
- 2. Oktober 2002
- Veröffentlichung
- 11. Mai 2011
- Erteilung
- 11. Mai 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Ohmi, Tadahiro
OHMI, Tadahiro
TOKYO ELECTRON LIMITED - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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Fachgebiete
Kanzlei
Boehmert & Boehmert
München, Deutschland
Boehmert & Boehmert geht auf die Zulassung von Dr. Karl Boehmert 1931 in Berlin zurück. Mit Standorten in Deutschland, Alicante, Paris und Shanghai bietet die Kanzlei IP aus einer Hand und legt besonderen Wert auf persönliche Mandantenbetreuung statt Anonymität.
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