Gruppe-Iii-Nitrid-Halbleitersubstrat und Herstellungsverfahren dafür

EP1460154 Art A1 22. September 2004

Anmelder: Japan Science and Technology Agency, National Institute for Materials Science 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1460154
Aktenzeichen: EP02793431
Anmeldetag: 26. Dezember 2002
Veröffentlichung: 22. September 2004
Rechtsraum: EP
IPC: C30B29/38H01L21/205H01L33/00H01S5/323

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Japan Science and Technology Agency
National Institute for Materials Science
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Japan Science and Technology Agency

Japanische staatliche Förderorganisation für Wissenschaft und Technologie, die Forschungsprojekte finanziert und den Technologietransfer zwischen Universitäten und Industrie unterstützt. Die Behörde untersteht dem japanischen Bildungsministerium.

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🇯🇵 National Institute for Materials Science

Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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