Herstellungsverfahren zur Verbesserung der Kapazitätsfläche in Dram Speicherzellen
EP1466361
Art B1
6. Mai 2009
Anmelder: Micron Technology, Inc., MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1466361
- Aktenzeichen
- EP03703873
- Anmeldetag
- 16. Januar 2003
- Veröffentlichung
- 6. Mai 2009
- Erteilung
- 6. Mai 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02H01L21/8242
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
MICRON TECHNOLOGY, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Fachgebiete
Kanzlei
Keltie LLP
Keltie LLP zählt zu den wenigen europäischen Kanzleien mit Gold in jeder Kategorie der FT Patent Rankings, von London aus mit Büros in Cambridge, den Cotswolds sowie Dublin und Galway. Betreut Mandanten wie Mastercard, NBCUniversal und Nissan, Expertise von Automobiltechnik bis Quantensensorik.
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