Verfahren zum Gettern von Transitionsmetall Unreinheiten in einem Siliciumkristall

EP1467405 Art A1 13. Oktober 2004

Anmelder: Japan Science and Technology Agency 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1467405
Aktenzeichen: EP03701051
Anmeldetag: 9. Januar 2003
Veröffentlichung: 13. Oktober 2004
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/322

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Anmelder

Firma: Japan Science and Technology Agency
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Japan Science and Technology Agency

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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