Floating-Gate-Speicherzelle, Floating-Gate-Speicheranordnung, Schaltkreis-Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer Floating-Gate-Speicherzelle
EP1479105
Art A1
24. November 2004
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1479105
- Aktenzeichen
- EP03706311
- Anmeldetag
- 12. Februar 2003
- Veröffentlichung
- 24. November 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8247H01L27/105
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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