Low-k Isolierungsschicht und ihre Herstellung

EP1482550 Art A3 29. Juli 2009

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, SEMICONDUCTOR PROCESS LABORATORY CO., LTD., Semiconductor Process Laboratory Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1482550
Aktenzeichen: EP04012238
Anmeldetag: 24. Mai 2004
Veröffentlichung: 29. Juli 2009
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762H01L21/316

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
SEMICONDUCTOR PROCESS LABORATORY CO., LTD.
Semiconductor Process Laboratory Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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