Schaltungselement mit einer ersten Schicht aus einem elektrisch isolierenden Substratmaterial und Verfahren zur Herstellung eines Schaltungselements
EP1482574
Art A3
15. November 2006
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1482574
- Aktenzeichen
- EP04012793
- Anmeldetag
- 28. Mai 2004
- Veröffentlichung
- 15. November 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L51/20H01L27/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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