Verfahren zur Herstellung eines Zusammengesetzten Halbleiters und eines Zusammengesetzten Isolators durch Verwendung Chemischer Reaktion und Diffusion durch Erhitzen, durch das Verfahren Hergestellter Zusammengesetzter Halbleiter und Zusammengesetzter Isolator und Photozelle, Elektronische Schaltung, Transistor und Speicher damit
EP1488451
Art A1
22. Dezember 2004
Anmelder: Samsung Electronics Co., Ltd., National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1488451
- Aktenzeichen
- EP03713052
- Anmeldetag
- 28. März 2003
- Veröffentlichung
- 22. Dezember 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/36// H01L21/324
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Samsung Electronics Co., Ltd.
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology - Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Samsung Electronics
Südkoreanischer Elektronikkonzern und Teil der Samsung-Gruppe. Entwickelt und produziert Halbleiter, Speicherchips, Displays, Smartphones, Unterhaltungselektronik sowie Haushaltsgeräte für den globalen Markt.
72.110 Patente in unserer Datenbank
🇯🇵
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.
3.785 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Fearnside, Andrew Simon
Halifax, Großbritannien
375
Patente gesamt
23
Fachgebiete
9
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Appleyard Lees IP LLP
Appleyard Lees IP LLP · Halifax
-
Robinson, Ian Michael
NoneHalifax