Tunnel-Magnetwiderstandeinrichtung, Halbleiter-Sperrschichteinrichtung, Magnetspeicher und Halbleiter-Lichtemissionseinrichtung
EP1489664
Art B1
12. Februar 2014
Anmelder: Japan Science and Technology Agency 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1489664
- Aktenzeichen
- EP03712908
- Anmeldetag
- 25. März 2003
- Veröffentlichung
- 12. Februar 2014
- Erteilung
- 12. Februar 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/82H01L43/08G01R33/09G11B5/39H01L33/00H01L27/105G11C11/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Japan Science and Technology Agency
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Japan Science and Technology Agency
Japanische staatliche Förderorganisation für Wissenschaft und Technologie, die Forschungsprojekte finanziert und den Technologietransfer zwischen Universitäten und Industrie unterstützt. Die Behörde untersteht dem japanischen Bildungsministerium.
2.090 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Bentz, Jean-Paul
Paris, Frankreich
823
Patente gesamt
34
Fachgebiete
19
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Novagraaf Technologies
Novagraaf Technologies · Asnières-sur-Seine