Nitrid-Halbleiterlaser mit Stromsperrschichten und Herstellungsverfahren hierfür
EP1492209
Art B1
9. Januar 2008
Anmelder: Nichia Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1492209
- Aktenzeichen
- EP04015028
- Anmeldetag
- 25. Juni 2004
- Veröffentlichung
- 9. Januar 2008
- Erteilung
- 9. Januar 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01S5/323H01S5/22
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Nichia Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Nichia
Japanischer Hersteller von LEDs und Halbleiterbauelementen, bekannt als Erfinder der ersten hocheffizienten blauen Leuchtdiode.
967 Patente in unserer Datenbank