DRAM-Bauteil mit zwei Speicherzellen und Verfahrung zu seiner Herstellung
EP1494287
Art A1
5. Januar 2005
Anmelder: STMicroelectronics S.A. 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1494287
- Aktenzeichen
- EP04291637
- Anmeldetag
- 29. Juni 2004
- Veröffentlichung
- 5. Januar 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- STMicroelectronics S.A.
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇨🇭
STMicroelectronics International
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
4.265 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Loisel, Bertrand
Paris, Frankreich
828
Patente gesamt
31
Fachgebiete
14
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Plasseraud IP
Plasseraud IP · Paris
-
Cabinet Plasseraud
Cabinet Plasseraud · Paris