Substrat und Verfahren zum Herstellen eines Substrats

EP1495492 Art B1 2. Juni 2010

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1495492
Aktenzeichen: EP03729842
Anmeldetag: 16. April 2003
Veröffentlichung: 2. Juni 2010
Erteilung: 2. Juni 2010
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762H01L27/12H01L21/84

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.872 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von