Verfahren zur Stromlosen Metallabscheidung und Halbleiterwafer mit Darauf Ausgebildeter Metallabscheidungsschicht

EP1498511 Art B1 6. Juli 2016

Anmelder: JX Nippon Mining & Metals Corporation, Nippon Mining Holdings, Inc., Nippon Mining & Metals Co., Ltd., Nikko Materials Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Firmen: JX Nippon Mining & Metals Corporation
Nippon Mining Holdings, Inc.
Nippon Mining & Metals Co., Ltd.
Nikko Materials Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von

Teipel, Susanne, Dr München, Deutschland

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Patente gesamt

Fachgebiete

Anmelder-Länder

Schwerpunkte

Medizintechnik & Gesundheit Organische Chemie Verfahrens- & Trenntechnik Metallurgie & Oberflächentechnik Kunststoff- & Polymertechnik Anorganische Chemie & Werkstoffe

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