Verfahren zur Herstellung von Dünnfilmhalbleitern auf der Basis von I-Iii-VI(2)-Verbindungen für Photovoltaikanwendungen
EP1500146
Art B1
1. Oktober 2014
Anmelder: Electricité de France, CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE -CNRS-, CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS), Electricité de France Service National 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1500146
- Aktenzeichen
- EP03747464
- Anmeldetag
- 23. April 2003
- Veröffentlichung
- 1. Oktober 2014
- Erteilung
- 1. Oktober 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L31/032H01L31/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Electricité de France
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE -CNRS-
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)
Electricité de France Service National - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Électricité de France
Französischer Energiekonzern (EDF) mit Schwerpunkt auf Stromerzeugung, insbesondere Kernkraft, sowie Übertragung und Vertrieb elektrischer Energie. Patente betreffen Energie- und Kraftwerkstechnik.
622 Patente in unserer Datenbank
🇫🇷
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.
13.133 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Hassine, Albert
Paris, Frankreich
77
Patente gesamt
18
Fachgebiete
9
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Plasseraud IP
Plasseraud IP · Paris
-
Cabinet Plasseraud
Cabinet Plasseraud · Paris