Verfahren zur Herstellung von Nrom-Speicherzellen mit Grabentransistoren

EP1512179 Art A1 9. März 2005

Anmelder: Infineon Technologies AG, Infineon Technologies Flash GmbH & Co. KG. 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1512179
Aktenzeichen: EP03735305
Anmeldetag: 15. Mai 2003
Veröffentlichung: 9. März 2005
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/115H01L21/8246

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Infineon Technologies AG
Infineon Technologies Flash GmbH & Co. KG.
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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