Verfahren zur Herstellung eines abgedichteten Hohlraumes
EP1535331
Art B1
2. Oktober 2024
Anmelder: Murata Integrated Passive Solutions, IPDIA, NXP B.V., Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1535331
- Aktenzeichen
- EP03744466
- Anmeldetag
- 11. März 2003
- Veröffentlichung
- 2. Oktober 2024
- Erteilung
- 2. Oktober 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/50H01L21/60// H01L23/10H01L23/485H01L25/065H03H9/05H03H9/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Murata Integrated Passive Solutions
IPDIA
NXP B.V.
Koninklijke Philips Electronics N.V. - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.818 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Vignesoult, Serge L. M
Aubervilliers, Frankreich
138
Patente gesamt
21
Fachgebiete
6
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
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Cabinet Beau de Loménie
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Cabinet Plasseraud
Cabinet Plasseraud · Paris
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Williamson, Paul Lewis
NoneEindhoven
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White, Andrew Gordon
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van Oudheusden-Perset, Laure E
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Chaffraix, Jean
Brandon IP · Paris