Verfahren zur Herstellung einer dünnen Schicht aus amorphem Vanadium-Wolfram-Oxid

EP1560008 Art B1 30. Juli 2008

Anmelder: Korea Institute of Science and Technology 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1560008
Aktenzeichen: EP04023365
Anmeldetag: 30. September 2004
Veröffentlichung: 30. Juli 2008
Erteilung: 30. Juli 2008
Rechtsraum: EP
IPC: G01J5/20H01C7/04H01L31/09

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea Institute of Science and Technology
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea Institute of Science and Technology

Südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Seoul, das interdisziplinäre Forschung in Naturwissenschaften, Ingenieurwesen und Materialtechnologie betreibt und zahlreiche Patente aus seinen Instituten hervorbringt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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