Transistor mit Füllbereichen im Source- Und/oder Draingebiet
EP1565943
Art B1
29. März 2017
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1565943
- Aktenzeichen
- EP03767457
- Anmeldetag
- 26. November 2003
- Veröffentlichung
- 29. März 2017
- Erteilung
- 29. März 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/06H01L29/78H01L29/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Graf Lambsdorff, Matthias
München, Deutschland
161
Patente gesamt
21
Fachgebiete
9
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
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