Herstellungsverfahren eines Siliziumkarbid-Halbleiterbauelements
EP1566843
Art B1
18. Dezember 2013
Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, SANYO ELECTRIC CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1566843
- Aktenzeichen
- EP03758710
- Anmeldetag
- 3. Oktober 2003
- Veröffentlichung
- 18. Dezember 2013
- Erteilung
- 18. Dezember 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
SANYO ELECTRIC CO., LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.
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🇯🇵
Sanyo Electric
Ehemaliger japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Osaka, seit 2011 Teil des Panasonic-Konzerns. Sanyo war aktiv in Unterhaltungselektronik, Halbleitern, Batterietechnik und Solartechnologie.
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