Nichtflüchtige Speicherzelle, Speicherzellen-Anordnung und V Erfahren zum Herstellen einer Nichtflüchtigen Speicherzelle

EP1568087 Art A1 31. August 2005

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1568087
Aktenzeichen: EP03778240
Anmeldetag: 29. Oktober 2003
Veröffentlichung: 31. August 2005
Rechtsraum: EP
IPC: H01L51/20

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.937 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von