Herstellungsverfahren für einen Supraleiter auf MGB2-Basis
EP1609757
Art A1
28. Dezember 2005
Anmelder: National Institute for Materials Science 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1609757
- Aktenzeichen
- EP04717237
- Anmeldetag
- 4. März 2004
- Veröffentlichung
- 28. Dezember 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C01B35/04C01G1/00H01B13/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute for Materials Science
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
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