Verfahren zur Herstellung eines Bipolaren Halbleiterbauelements, insbesondere eines Bipolartransistors, und Entsprechendes Bipolares Halbleiterbauelement
EP1611615
Art B1
31. August 2011
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1611615
- Aktenzeichen
- EP04726497
- Anmeldetag
- 8. April 2004
- Veröffentlichung
- 31. August 2011
- Erteilung
- 31. August 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/732H01L29/737H01L21/331H01L29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Barth, Stephan Manuel
München, Deutschland
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Isarpatent · München