Gesintertes Halbleitermaterial

EP1618612 Art A1 25. Januar 2006

Anmelder: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE -CNRS-, UNIVERSITE DE POITIERS, CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS), Universite de Poitiers 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1618612
Aktenzeichen
EP04742838
Anmeldetag
9. April 2004
Veröffentlichung
25. Januar 2006
Rechtsraum
EP
IPC
H01L31/18H01L31/0236
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE -CNRS-
UNIVERSITE DE POITIERS
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)
Universite de Poitiers
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.

13.083 Patente in unserer Datenbank

Weitere Vertreter

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen