Cabinet Beaumont

La présente description concerne un circuit d'alimentation (100) comprenant : - un limiteur de tension (103) comprenant une fonction de mesure de courant, adapté à limiter une première tension d'alimentation (VRECT100) et à fournir une information (Sense100) concernant un courant d'alimentation (Iload100) ; et - une unité de distribution d'alimentation (104) adaptée à recevoir ladite première tension d'alimentation (VRECT100) et ladite information (Sense100).

The present disclosure relates to a method of event processing, based on event data captured by an event-based sensor, the method comprising, in response to the reception of a new event ((x,y,t,p)): 1) extracting a set of features ((F0,F1,...,Fn)) of the new event; 2) modifying the set of features to include current values of a further set of features ((F0",F1",...,Fn")); and 3) computing a result based on the modified set of features, wherein the method further comprises updating, at time intervals, the current values of the further set of features by: - sorting received events into groups of events according to their event data value; and - computing the current values of the further set of features according to the event data value of events from one or more of the groups selected based on a time interval and/or event data value of the events of the groups.

La présente description concerne un procédé d'acquisition d'un signal, comprenant une phase de calibration comprenant : 1) déterminer un signal de référence représentatif de l'évolution du diamètre du vaisseau sanguin, au moyen d'un capteur ultrasonore (220) ; 2) acquérir un signal optique, au moyen d'un capteur photopléthysmographique (100) ; 3) déterminer, à partir du signal optique et du signal de référence, un modèle mathématique adapté à générer, à partir du seul signal optique, un signal estimé représentatif de l'évolution du diamètre du vaisseau sanguin pendant la phase de calibration, le procédé comprenant en outre, après la phase de calibration : 4) mesurer un signal optique représentatif de l'évolution du vaisseau sanguin, au moyen du capteur photopléthysmographique (100) ; et 5) calculer un signal estimé représentatif de l'évolution du diamètre du vaisseau sanguin, à partir du signal mesuré à l'étape 4) et du modèle mathématique.

La présente description concerne un procédé de fabrication de puces électroniques comportant les étapes successives suivantes :a) former une structure d'interconnexion (13) sur une face supérieure d'un empilement à base de nitrure de gallium (15), lui-même disposé sur une face supérieure d'un substrat semiconducteur (11) ;b) disposer une première couche (30) sur la face supérieure de la structure (13) ;c) former un masque de gravure en résine sur la face supérieure de la première couche (30) puis graver la première couche (30) et la structure (13) à travers le masque de gravure dans une région périphérique de chaque puce jusqu'à dévoiler la face supérieure de l'empilement (15) ;d) graver l'empilement (15) en vis-à-vis de ladite région périphérique en utilisant la première couche (30) comme masque de gravure, jusqu'à dévoiler la face supérieure du substrat (11) ;e) individualiser les puces électroniques.

La présente description concerne un transistor MOSFET (200) situé dans et sur un substrat semiconducteur et comportant :- une zone active (110) du substrat le long d'une première direction (X) du plan (XY) du substrat ; et- une structure de grille (220) comprenant une première région (221) au-dessus de la zone active et une deuxième région (222) au-dessus de la première région ;la première région a une première longueur (L21), la deuxième région a une deuxième longueur (L22) supérieure à la première longueur et déborde de part et d'autre de la première région dans la première direction ;la deuxième région a un premier bord longitudinal (222a) qui déborde d'un deuxième bord longitudinal (221a) de la première région dans la deuxième direction (Y) du plan ;la deuxième région présente une ouverture (224) qui s'étend dans la deuxième direction à partir d'un troisième bord longitudinal (222b) de ladite deuxième région opposé au premier bord longitudinal.

La présente description concerne une méthode de fabrication d'une sonde ultrasonore (200) comprenant : - la formation d'une couche diélectrique (201) sur un bord d'un empilement acoustique (210) comprenant une couche piézoélectrique située sur une première portion (220A) d'un substrat d'interconnexion (220), ladite première portion étant sur une couche d'atténuation acoustique (215) et étant prolongée par une deuxième portion (220B) repliée sur un bord (215A) de la couche d'atténuation acoustique ; - la formation d'une structure conductrice (202) de reprise de masse sur des éléments transducteurs (20) formés dans l'empilement acoustique et séparés par des encoches (214) dans l'empilement acoustique dans son épaisseur jusqu'au substrat d'interconnexion ; ladite structure conductrice s'étendant sur la couche diélectrique et étant reliée à au moins un plot (221) de contact électrique du substrat d'interconnexion ; - la formation d'une couche de protection (204) pour recouvrir et entourer l'empilement acoustique et la structure conductrice sur la hauteur des encoches.

La présente description concerne un procédé d'estimation d'une variation des émissions de gaz à effet de serre d'un système d'alimentation électrique, sur une période d'optimisation, comprenant : a) la réception de caractéristiques de fonctionnement, comprenant une période de disponibilité d'activation, un sens d'activation, et une capacité de report, d'un système d'électricité flexible ; b) la réception d'informations sur le système d'alimentation électrique comprenant un état de la demande et une répartition de la demande entre une pluralité de générateurs, au cours d'une période historique ; c) la détermination d'une période d'activation et d'une période de report, la période d'activation étant comprises dans la période de disponibilité d'activation et la période de report étant comprise dans la période d'optimisation ; d) le calcul de la variation des émissions générée par une variation de la demande sur la période d'activation et une variation opposée de la demande sur la période de report.

La présente description concerne un dispositif électronique comportant des cellules mémoires, chaque cellule mémoire comportant : - un élément résistif chauffant (19) comportant une partie horizontale (H) et une partie verticale (V), la partie verticale (V) étant en contact avec la partie horizontale (H) ; et - une couche en un matériau à changement de phase (17), recouvrant une face supérieure des éléments (19), chaque élément (19) étant recouvert par un espaceur isolant (21), l'espaceur (21) étant en contact avec un flanc vertical (V<V>) de la partie verticale (V) de l'élément (19) et avec une face supérieure (H<S>) de la partie horizontale (H) de l'élément (19), et les espaceurs isolants (21) recouvrant deux éléments (19) successifs d'une même ligne, étant séparés par une couche isolante (23) en oxyde.

La présente description concerne un procédé d'estimation d'une variation des émissions de gaz à effet de serre d'un système d'alimentation électrique, comprenant : a) la réception de caractéristiques de fonctionnement d'un ou plusieurs systèmes électriques flexibles ; b) la réception d'informations indiquant un état de la demande et un état de fonctionnement d'une pluralité de générateurs ; c) la détermination d'un premier générateur ayant un coût unitaire le plus élevé et de son émission ; d) la détermination d'un deuxième générateur étant engagé en réserve ; e) la détermination d'une puissance de réserve engagée et d'un intervalle de temps au cours duquel les systèmes électriques flexibles peuvent faire varier leur consommation sur demande ; et f) le calcul de la variation des émissions générée par une augmentation de production du deuxième générateur et une réduction de production du premier générateur sur l'intervalle de temps d'activation déterminé à l'étape e).

Procédé de caractérisation d'un transistor de type MOSFET (100), comprenant:a) plusieurs applications d'une tension de contrainte sur la grille (110) du transistor, déclenchant un piégeage de charges dans son diélectrique de grille (112), et plusieurs déterminations d'une première caractéristique électrique de conduction du transistor (100), puisb) plusieurs applications d'une tension de récupération sur la grille (112), déclenchant une libération de charges électriques piégées, et plusieurs déterminations de la première caractéristique électrique de conduction, puisc) calcul, à partir des valeurs précédemment déterminées en mettant en œuvre les étapes a) et b) avec au moins deux valeurs différentes de la tension de contrainte, d'une dérive d'une deuxième caractéristique électrique de conduction du transistor (100), puisd) détermination que le diélectrique de grille a été soumis ou non à un recuit de nitruration selon que la valeur du facteur d'accélération en tension p vérifie ou non la relation p = a×T_OX + b.