Halbleiterspeicherbaustein und Verfahren zu Seinem Betrieb
EP1623430
Art A2
8. Februar 2006
Anmelder: Innovative Silicon, Inc., Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) 🇨🇭
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1623430
- Aktenzeichen
- EP04760984
- Anmeldetag
- 11. Mai 2004
- Veröffentlichung
- 8. Februar 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Innovative Silicon, Inc.
Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) - Land
- 🇨🇭 Schweiz
🇨🇭
École Polytechnique Fédérale de Lausanne
Schweizer technische Hochschule und Forschungseinrichtung mit Schwerpunkt auf Ingenieur- und Naturwissenschaften.
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