GaN-Substrat und Halbleitervorrichtung hergestellt durch epitaktisches Wachstum auf das GaN-Substrat
EP1630878
Art B1
18. Oktober 2017
Anmelder: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, Kabushiki Kaisha Toshiba, KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1630878
- Aktenzeichen
- EP05255182
- Anmeldetag
- 23. August 2005
- Veröffentlichung
- 18. Oktober 2017
- Erteilung
- 18. Oktober 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B25/18C30B25/20C30B29/40// H01L21/205H01L33/32H01S5/323H01L29/205H01L21/02H01L33/16H01L33/00H01S5/32
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Kabushiki Kaisha Toshiba
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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Kanzlei
Marks & Clerk LLP
Marks & Clerk zählt zu den ältesten und international breitesten IP-Kanzleien: 1887 in Birmingham gegründet, ist sie heute mit eigenen Büros auf drei Kontinenten präsent und deckt das gesamte Spektrum des gewerblichen Rechtsschutzes ab.
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Granleese, Rhian Jane
Marks & Clerk LLP · London