Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement mit Prase Odymoxid-Dielektrikum

EP1661172 Art A2 31. Mai 2006

Anmelder: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik, IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics/Institut für innovative Mikroelektronik 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1661172
Aktenzeichen: EP04764533
Anmeldetag: 20. August 2004
Veröffentlichung: 31. Mai 2006
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/316C23C16/40H01L29/51H01L27/108H01L27/112

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics/Institut für innovative Mikroelektronik
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 IHP – Innovations for High Performance Microelectronics

Deutsches Forschungsinstitut (Leibniz-Institut) mit Sitz in Frankfurt (Oder), das an Hochleistungs-Mikroelektronik forscht, darunter Silizium-Germanium-Technologien und Halbleiterschaltungen für Kommunikations- und Sensoranwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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