Verfahren zur Herstellung eines Nitridhalbleiters der Gruppe Iii des Typs P und Gruppe-Iii-Nitrid-Halbleiter-Lichtemissionsbauelement
EP1680809
Art A2
19. Juli 2006
Anmelder: Showa Denko K.K. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1680809
- Aktenzeichen
- EP04799593
- Anmeldetag
- 4. November 2004
- Veröffentlichung
- 19. Juli 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/205H01L33/00H01S5/323H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Showa Denko K.K.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Showa Denko
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, seit 2023 als Resonac Holdings firmierend. Aktiv in Petrochemie, Elektronikmaterialien, Batteriematerialien sowie Halbleiterchemikalien.
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