Supraleitender Oxidfilm und Verfahren zu dessen Herstellung

EP1683207 Art B1 13. Juni 2007

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, International Superconductivity Technology Center, The Juridical Foundation, KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1683207
Aktenzeichen
EP05768737
Anmeldetag
29. Juli 2005
Veröffentlichung
13. Juni 2007
Erteilung
13. Juni 2007
Rechtsraum
EP
IPC
H01L39/24C23C18/12
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Kabushiki Kaisha Toshiba
International Superconductivity Technology Center, The Juridical Foundation
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

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