Komplement Re Bipolar-Halbleitervorrichtung
EP1692720
Art B1
24. November 2010
Anmelder: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik, IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics/Institut für innovative Mikroelektronik 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1692720
- Aktenzeichen
- EP04803557
- Anmeldetag
- 1. Dezember 2004
- Veröffentlichung
- 24. November 2010
- Erteilung
- 24. November 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8228H01L27/082
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics/Institut für innovative Mikroelektronik - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
IHP – Innovations for High Performance Microelectronics
Deutsches Forschungsinstitut (Leibniz-Institut) mit Sitz in Frankfurt (Oder), das an Hochleistungs-Mikroelektronik forscht, darunter Silizium-Germanium-Technologien und Halbleiterschaltungen für Kommunikations- und Sensoranwendungen.
150 Patente in unserer Datenbank