Halbleiter des Diamant-N-Typs, Herstellungsverfahren Dafür, Halbleiterelement und Elektronenemissionselement
EP1693895
Art B1
13. März 2013
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1693895
- Aktenzeichen
- EP04819316
- Anmeldetag
- 17. November 2004
- Veröffentlichung
- 13. März 2013
- Erteilung
- 13. März 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/16H01L29/66H01J1/30
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
11.186 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Cross, Rupert Edward Blount
London, Großbritannien
2.091
Patente gesamt
33
Fachgebiete
17
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
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Boult Wade Tennant LLP
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