Monolithisch Integrierte Schaltung für Hochfrequenzanwendungen
EP1702362
Art A1
20. September 2006
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1702362
- Aktenzeichen
- EP04809146
- Anmeldetag
- 22. Dezember 2004
- Veröffentlichung
- 20. September 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/528H01L29/772H01L27/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
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Stockholm, Schweden
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