Integrierte Halbleiterschaltung und nichtflüchtiges Speicherelement
Anmelder: Renesas Electronics Corporation, Renesas Technology Corp., HITACHI, LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1703520
- Aktenzeichen
- EP06011387
- Anmeldetag
- 19. Januar 2000
- Veröffentlichung
- 27. Juli 2011
- Erteilung
- 27. Juli 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C16/06G11C16/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Renesas Electronics Corporation
Renesas Technology Corp.
HITACHI, LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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Renesas Technology war ein japanischer Halbleiterhersteller und Vorgängerunternehmen der heutigen Renesas Electronics. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Datenspeicher- und Schaltungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2009.
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Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.
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