Auf Nitrid Basierende Transistoren mit Schutzschicht und einer Beschädigungsarmen Aussparung und Herstellungsverfahren dafür

EP1704597 Art B1 22. Juli 2015

Anmelder: Cree, Inc., CREE, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1704597
Aktenzeichen
EP04789143
Anmeldetag
28. September 2004
Veröffentlichung
22. Juli 2015
Erteilung
22. Juli 2015
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/335H01L29/778H01L29/20
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Cree, Inc.
CREE, INC.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Cree

US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.

1.232 Patente in unserer Datenbank

Weitere Vertreter

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen