Plasmaangeregtes Chemisches Gasphasenabscheide-Verfahren, Silizium-Sauerstoff-Stickstoff-Haltiges Material und Schicht-Anordnung

EP1706902 Art A2 4. Oktober 2006

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1706902
Aktenzeichen: EP05714893
Anmeldetag: 22. Januar 2005
Veröffentlichung: 4. Oktober 2006
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/768H01L21/76H01L21/316C23C16/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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