Ldmos-Transistor und Verfahren zu dessen Herstellung
EP1719183
Art B1
26. April 2017
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1719183
- Aktenzeichen
- EP05707614
- Anmeldetag
- 24. Februar 2005
- Veröffentlichung
- 26. April 2017
- Erteilung
- 26. April 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L23/485H01L29/417H01L29/423H01L29/45H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Kanzlei
JENSEN & SON
JENSEN & SON wurde bereits 1867 gegründet und gehört zu den traditionsreichsten Patent- und Markenkanzleien Großbritanniens. Unter der Marke Jensens IP Law mit Büros in London, München und Dublin ist sie eine der wenigen „full service“ IP-Kanzleien im Vereinigten Königreich.
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Patente gesamt
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Patentanwälte
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Standorte
Weitere Vertreter
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Schäfer, Horst
NoneMünchen