Dünnfilmtransistor und Dünnfilmtransistorsubstrat und Herstellungsverfahren dafür und Flüssigkristallanzeigeeinheit damit und Diesbezügliche Einrichtung und Verfahren und Sputter-Target und Dadurch Gebildeter Transparenter Leitfähiger Film und Transparente Elektrode und Diesbezügliche Einrichtung und Verfahren
EP1724790
Art A1
22. November 2006
Anmelder: IDEMITSU KOSAN COMPANY LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1724790
- Aktenzeichen
- EP05719804
- Anmeldetag
- 2. März 2005
- Veröffentlichung
- 22. November 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01B5/14C23C14/08C23C14/34G02F1/1343G02F1/1368H01L21/28H01L21/285H01L21/308H01L21/3205H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- IDEMITSU KOSAN COMPANY LIMITED
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Idemitsu Kosan
Japanisches Energie- und Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Aktiv in Mineralölverarbeitung, petrochemischen Produkten, Schmierstoffen sowie Materialien für organische Leuchtdioden (OLED).
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