Fin-Feldeffekttransistor-Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer Fin-Feldeffekttransistor-Anordnung

EP1741141 Art A1 10. Januar 2007

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1741141
Aktenzeichen: EP05748159
Anmeldetag: 22. April 2005
Veröffentlichung: 10. Januar 2007
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/786H01L27/12H01L21/84

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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