Verfahren zur Herstellung von Transistoren auf Nitridbasis mit Wiederaufgewachsenen Ohmschen Kontaktregionen und Transistoren auf Nitridbasis mit Wiederaufgewachsenen Ohmschen Kontaktregionen
EP1747589
Art B1
26. März 2014
Anmelder: Cree, Inc., CREE, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1747589
- Aktenzeichen
- EP05722846
- Anmeldetag
- 9. Februar 2005
- Veröffentlichung
- 26. März 2014
- Erteilung
- 26. März 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/778H01L21/335
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Cree, Inc.
CREE, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Cree
US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.
1.232 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Cross, Rupert Edward Blount
London, Großbritannien
2.091
Patente gesamt
33
Fachgebiete
17
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Boult Wade Tennant LLP
Boult Wade Tennant LLP · London
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Boult Wade Tennant
Boult Wade Tennant · London
-
Bankes, Stephen Charles Digby
NoneBrentford