Transistoren und zugehöriges Herstellungsverfahren
EP1760777
Art A3
7. Mai 2008
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1760777
- Aktenzeichen
- EP06120019
- Anmeldetag
- 1. September 2006
- Veröffentlichung
- 7. Mai 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8238H01L29/49H01L21/28H01L27/092
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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