Nitrid-Halbleiter-Lichtemissionsbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP1790017
Art B1
15. August 2012
Anmelder: LG Innotek Co., Ltd. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1790017
- Aktenzeichen
- EP05781228
- Anmeldetag
- 19. August 2005
- Veröffentlichung
- 15. August 2012
- Erteilung
- 15. August 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L33/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LG Innotek Co., Ltd.
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
LG Innotek
Südkoreanisches Elektronikunternehmen mit Sitz in Seoul, Tochtergesellschaft der LG-Gruppe. Entwickelt Komponenten für Kamera- und Optikmodule, Halbleiterträger, Motoren und Materialien für Mobilgeräte, Fahrzeuge und Displays.
4.233 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Bentz, Jean-Paul
Paris, Frankreich
823
Patente gesamt
34
Fachgebiete
19
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Plasseraud IP
Plasseraud IP · Paris
-
Cabinet Plasseraud
Cabinet Plasseraud · Paris