Herstellungsverfahren für einen MOSFET und entsprechender MOSFET
Anmelder: STMicroelectronics Srl, Consiglio Nazionale delle Ricerche, STMicroelectronics S.r.l. 🇮🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1791173
- Aktenzeichen
- EP05425836
- Anmeldetag
- 25. November 2005
- Veröffentlichung
- 30. Mai 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/78H01L21/268// H01L29/423H01L21/28H01L29/51
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- STMicroelectronics Srl
Consiglio Nazionale delle Ricerche
STMicroelectronics S.r.l. - Land
- 🇮🇹 Italien
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
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Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
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Fachgebiete
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