Nitrid-Halbleiter Lichtemittierende Vorrichtung und Ihr Herstellungsverfahren

EP1794812 Art B1 20. März 2019

Anmelder: LG Innotek Co., Ltd. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1794812
Aktenzeichen
EP05781115
Anmeldetag
19. August 2005
Veröffentlichung
20. März 2019
Erteilung
20. März 2019
Rechtsraum
EP
IPC
H01L33/12H01L33/32
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
LG Innotek Co., Ltd.
Land
🇰🇷 Südkorea

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Niemann, Frédéric Paris, Frankreich
93
Patente gesamt
16
Fachgebiete
9
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Medizintechnik & Gesundheit Farben, Klebstoffe & Brennstoffe Landwirtschaft & Nahrungsmitteltechnik Pharma & Biotechnologie Anorganische Chemie & Werkstoffe Verfahrens- & Trenntechnik
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