Nitrid-Halbleiter-Lichtemissionsbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP1794813
Art B1
20. Mai 2015
Anmelder: LG Innotek Co., Ltd. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1794813
- Aktenzeichen
- EP05781229
- Anmeldetag
- 19. August 2005
- Veröffentlichung
- 20. Mai 2015
- Erteilung
- 20. Mai 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L33/32// H01L33/26H01L33/02H01L33/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LG Innotek Co., Ltd.
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
LG Innotek
Südkoreanisches Elektronikunternehmen mit Sitz in Seoul, Tochtergesellschaft der LG-Gruppe. Entwickelt Komponenten für Kamera- und Optikmodule, Halbleiterträger, Motoren und Materialien für Mobilgeräte, Fahrzeuge und Displays.
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Fachgebiete
Vertreten von
Bentz, Jean-Paul
Paris, Frankreich
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