Halbleiterspeicherbauelement und Herstellungsverfahren dafür

EP1806788 Art A2 11. Juli 2007

Anmelder: Renesas Technology Corp. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1806788
Aktenzeichen
EP06026218
Anmeldetag
18. Dezember 2006
Veröffentlichung
11. Juli 2007
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/788H01L21/336H01L27/115
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Renesas Technology Corp.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Renesas Technology

Renesas Technology war ein japanischer Halbleiterhersteller und Vorgängerunternehmen der heutigen Renesas Electronics. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Datenspeicher- und Schaltungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2009.

421 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen