Halbleiterspeicherbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP1806788
Art A2
11. Juli 2007
Anmelder: Renesas Technology Corp. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1806788
- Aktenzeichen
- EP06026218
- Anmeldetag
- 18. Dezember 2006
- Veröffentlichung
- 11. Juli 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/788H01L21/336H01L27/115
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Technology Corp.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Technology
Renesas Technology war ein japanischer Halbleiterhersteller und Vorgängerunternehmen der heutigen Renesas Electronics. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Datenspeicher- und Schaltungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2009.
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