Herstellungsverfahren für eine Lichtemittierende Nitrid-Halbleiter-Vorrichtung
EP1810352
Art B1
8. Februar 2017
Anmelder: LG Innotek Co., Ltd. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1810352
- Aktenzeichen
- EP05820555
- Anmeldetag
- 4. November 2005
- Veröffentlichung
- 8. Februar 2017
- Erteilung
- 8. Februar 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L33/00H01S5/30H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LG Innotek Co., Ltd.
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
LG Innotek
Südkoreanisches Elektronikunternehmen mit Sitz in Seoul, Tochtergesellschaft der LG-Gruppe. Entwickelt Komponenten für Kamera- und Optikmodule, Halbleiterträger, Motoren und Materialien für Mobilgeräte, Fahrzeuge und Displays.
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Bentz, Jean-Paul
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